14 Si 硅 28.085

准金属

硅 Silicon

[Ne] 3s² 3p²

  • 周期 3
  • 族 14
  • 区 p
  • 固态

电子排布

1s² 2s² 2p⁶ 3s² 3p²

轨道图(价层)

3s ↑↓
3p ↑↑
各电子层电子数
2, 8, 4
未成对电子
2
Zeff (Slater)
4.15

性质数据

相对原子质量
28.085
电负性(Pauling)
1.9
第一电离能
786.5 kJ/mol
电子亲和能
133.6 kJ/mol
共价半径
111 pm
范德华半径
210 pm
熔点
1687 K
沸点
3538 K
密度
2.33 g/cm³
熔点 / 沸点
1413.8 °C / 3264.8 °C
常见氧化态
+4, +2, −4
发现年份
1854

天然同位素

282930m/z020406080100丰度 / %
质量数 A原子质量 / u丰度
28Si27.97692792.22 %
29Si28.9764954.69 %
30Si29.9737703.09 %

同位素质量:AME2020;丰度:IUPAC/CIAAW 代表值。

逐级电离能

1: 8.15 eV2: 16.35 eV3: 33.49 eV4: 45.14 eV5: 166.77 eV6: 205.28 eV7: 246.57 eV8: 303.59 eV9: 351.28 eV10: 401.38 eV11: 476.27 eV12: 523.41 eV13: 2437.66 eV14: 2673.18 eV135791113移去的第 n 个电子101001000电离能 / eV(对数)

大跳跃发生在内层电子开始被移去时。 NIST 原子光谱数据库电离能。

周期趋势

H: 1312 kJ/molHe: 2372 kJ/molLi: 520.2 kJ/molBe: 899.5 kJ/molB: 800.6 kJ/molC: 1086 kJ/molN: 1402 kJ/molO: 1314 kJ/molF: 1681 kJ/molNe: 2081 kJ/molNa: 495.8 kJ/molMg: 737.7 kJ/molAl: 577.6 kJ/molSi: 786.5 kJ/molP: 1012 kJ/molS: 999.6 kJ/molCl: 1251 kJ/molAr: 1521 kJ/molK: 418.8 kJ/molCa: 589.8 kJ/molSc: 633 kJ/molTi: 658.8 kJ/molV: 650.9 kJ/molCr: 652.9 kJ/molMn: 717.3 kJ/molFe: 762.4 kJ/molCo: 760.4 kJ/molNi: 737.1 kJ/molCu: 745.4 kJ/molZn: 906.4 kJ/molGa: 578.8 kJ/molGe: 762.2 kJ/molAs: 947 kJ/molSe: 940.9 kJ/molBr: 1140 kJ/molKr: 1351 kJ/molRb: 403 kJ/molSr: 549.5 kJ/molY: 599.8 kJ/molZr: 640.1 kJ/molNb: 652.1 kJ/molMo: 684.3 kJ/molTc: 702.4 kJ/molRu: 710.2 kJ/molRh: 719.7 kJ/molPd: 804.4 kJ/molAg: 731 kJ/molCd: 867.8 kJ/molIn: 558.3 kJ/molSn: 708.6 kJ/molSb: 833.6 kJ/molTe: 869.3 kJ/molI: 1008 kJ/molXe: 1170 kJ/molCs: 375.7 kJ/molBa: 502.9 kJ/mol 0510152025303540455055原子序数 Z05001000150020002500第一电离能 / kJ/mol

族 14

数据:PubChem 元素周期表(公有领域);原子量为 IUPAC 简化标准原子量;共价半径取自 Cordero 等 (2008)。